Philips desenvolve memória de antimônio-telúrio

Quinta-feira, 17 de março de 2005 - 11h42
SÃO PAULO - Pesquisadores da Philips estão desenvolvendo um novo tipo de memória que poderá substituir os atuais chips flash.

As novas memórias são baseadas num composto de antimônio e telúrio. Esses minerais são dopados com impurezas que alteram suas propriedades elétricas.

O material resultante pode assumir dois estados, um com estrutura cristalina e outro amorfo. A idéia é que cada estado do antimônio-telúrio represente um valor lógico - zero ou um - possibilitando o armazenamento de um bit de informação.

Durante a transição entre os estados, ocorre uma brusca variação na resistência elétrica. Essa alteração é detectada por um circuito eletrônico, permitindo a leitura dos dados.

A transição é provocada por um pulso de energia. É algo parecido com o que acontece nos CDs regraváveis, onde um feixe de raio laser estimula a mudança de estado das partículas.

Segundo a Philips, essa transição demora apenas 30 nanossegundos. Isso significa que um chip de antimônio-telúrio poderá ser entre 100 e 200 vezes mais veloz do que as memórias flash atuais.

A idéia não é realmente nova, já que vem sendo estudada desde a década de 70. Mas os cientistas da Philips dizem que agora estão mais perto de implementá-la na prática. Mesmo assim, vários anos ainda serão necessários para comprovar sua viabilidade comercial.
Fonte: Info